研課題
J-GLOBAL ID:202104015667690643
研究課題コード:09157676
プラズマ気相成長法による微結晶シリコン初期成長制御に関する研究
実施期間:2009 - 2009
実施機関 (1件):
研究代表者:
(
, ナノデバイス研究所, 准教授 )
研究概要:
本研究は、気相成長法による微結晶シリコン薄膜の初期成長(インキュベーション)制御を行い、高効率太陽電池や高性能薄膜トランジスタに使用可能、かつ大面積基板への展開が容易な高品質微結晶シリコン薄膜形成手法を開発するものである。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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