研課題
J-GLOBAL ID:202104015677558190  研究課題コード:13417075

極薄ナノ金属酸化膜をもつ抵抗変化型メモリ

体系的課題番号:JPMJPR1325
実施期間:2013 - 2016
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 原子分子材料科学高等研究機構, 准教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR1325
研究概要:
酸素中性粒子ビームを用いた極薄ナノ金属酸化膜の新規な形成手法を確立し、それを用いたイオンと原子の移動に基づく抵抗変化型メモリの試作とその動作実証を試みます。メモリ素子をナノサイズ化してスイッチング現象に寄与するイオンと原子の数を数えられる程度にまで減らすことで、0.1pJ以下の低消費電力、0.1V以下の低しきい値電圧および0.1ns以下の高速スイッチング時間を目指します。
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
上位研究課題: 素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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