深紫外LED用炭素系新薄膜材料の開発

実施期間：2011 - 2011
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 )
研究概要：

本研究は、気相成長法によるリンを添加した炭素系薄膜の薄膜成長技術の確立およびその基礎物性を解明することを目的として実施したものである。基板材料、原料供給条件等の成長膜への影響を、走査型2次電子顕微鏡、ラマン散乱分光法、2次イオン質量分析法、X線エネルギー分散法により解析し、リン添加により炭素系薄膜が気相成長法で作製できること、また、基板と炭素系薄膜間の中間層の選定が重要であり、炭化アルミニウムが有望であることを明らかにした。本手法の応用により、さらに高品質な薄膜作製およびデバイス応用が期待できる。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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