Si系半導体ナノ構造を基礎とした単一電子スピントランジスタの開発

体系的課題番号：JPMJPR0868
実施期間：2008 - 2011
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院システム情報科学研究院, 助教 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR0868
研究概要：

本研究では、シリコンLSI技術におけるスケーリング則の限界という課題を克服するために、電子のスピンを積極的に活用した動作原理に基づく半導体デバイスの開発を行います。実験的に考案した究極の低消費電力スピントロニクスデバイス『単一電子スピントランジスタ』を、既存のシリコンテクノロジーと整合した素子構造へと発展させ、高性能化および新機能の創出を目指します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2011 終了報告書

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