半導体局所プラズマ加工装置の開発

体系的課題番号：JPMJSN09CA
実施期間：2009 - 2011
実施機関 (1件)：
企業責任者：
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJSN09CA
研究概要：

半導体メーカー等への需要調査に基づき、半導体不良解析のためにシリコンやその酸化膜を局所的にエッチングできる装置の開発に成功しました。その開発過程で、プラズマガスを細い管に吸い込むと局所エッチングレートの向上および残渣を低減できることを新たに見い出しました。本開発では、この新方式を採用した半導体局所プラズマ加工装置の実用化に向けた開発を行います。

研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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