研課題
J-GLOBAL ID:202104015985793516  研究課題コード:10102186

CSP RF-ICモジュール用磁性薄膜インダクタの開発

実施期間:2010 - 2010
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 工学部, 助教 )
研究概要:
研究開発を研究責任者が総括(目標、その達成度、今後の展開)してください。本内容は事後評価結果としてホームページ等で公開します。知的財産に十分注意しつつ、300字程度で簡潔にまとめてください。 本研究は、情報通信機器におけるRF回路用スパイラル型磁性薄膜インダクタに関するもので、磁性薄膜内の磁気モーメントを導体線路に対し膜面内方向で45 deg傾けて設計する点が特徴である。導体線路全体で磁性薄膜の透磁率を利用でき、インダクタンスを空心インダクタに対し4倍以上高め、かつ導体線路からの漏洩磁束によるクロストークノイズを95%以下に低減できるとした。作製・評価の結果、前者は約1.4倍、後者は約50%に止まり目標には達しなかったが、GHz帯でQ値が世界トップクラスの16を得た。目標値に達しなかった理由は既に明らかになっており、現在新構造の検討を行なっている。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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