研課題
J-GLOBAL ID:202104016146631434  研究課題コード:08069016

低消費電力素子用の高性能n型有機薄膜トランジスタ

実施期間:2008 - 2008
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , システム工学部, 教授 )
研究概要:
有機薄膜トランジスタ(TFT)は、軽量、フレキシブル、低コストなどの特徴を生かし、ディスプレイや電子ペーパーなどへの応用が期待されているが、今までに研究されている有機TFTはp型がほとんどで、消費電力が少ない相補型の素子構成に必要なn型の高性能TFTを作製した例は少ない。われわれは、結晶性制御層を用いてベンゾジチオフェンダイマー薄膜の結晶性を向上させ、高性能なp型有機TFTを実現した。本研究では、同様の手法を用いて、高性能n型有機TFTを開発する。
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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