縦型構造の電荷蓄積膜方式セルを積層した超高密度不揮発性メモリの製造技術の開発

実施期間：2007 - 2009
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 学際科学国際高等研究センター, 教授 )
研究概要：

大規模データを効率よく記録するために、更なる高速化・大容量化が可能な半導体不揮発性メモリの製造技術の開発が強く求められている。本育成研究では、データを記憶する機能を有する電荷蓄積膜の製造技術及び電荷蓄積膜方式のセルを縦型構造化し、さらにそのセルを垂直方向に積層するために必要となる加工製造技術を開発する。これにより、縦型構造の電荷蓄積膜方式セルを積層した超高密度不揮発性半導体メモリの製造技術の確立を目指す。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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