研課題
J-GLOBAL ID：202104016485059480
研究課題コード：08003934
共鳴磁気トンネル・ナノドット不揮発性メモリの創製
体系的課題番号：JPMJCR02B6
実施期間：2002 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院工学研究科, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B6
研究概要：
エネルギーバンドの状態、トンネル電子のスピン状態、電荷状態を考慮した非対称トンネル効果に基づく新しい「共鳴磁気トンネル・ナノドット不揮発性メモリ」を提案します。また、実際に素子を試作して基本動作の確認を行うとともに、これらのメモリを用いたメモリベースの超高速・超省電力回路とアーキテクチャの検討も行います。試作素子の動作確認に成功すれば、実現が難しいとされていた高速・低電力のテラビット・ランダムアクセスメモリ(RAM)の可能性が初めて示されることになります。
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超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製
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報告書等：
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