研課題
J-GLOBAL ID：202104016540897407
研究課題コード：20348747
縦型シリコンスピンデバイスの開発
体系的課題番号：JPMJTR20RN
実施期間：2020 - 2022
実施機関 (1件)：
研究責任者：
(
, 大学院工学研究科, 特定准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJTR20RN
研究概要：
クロック周波数レベルで再構成可能な論理演算素子を目指し,その有力候補のスピンFETの創成を目指す.これまではスピン流が横方向に流れる横型スピンFETの室温動作実証を行ってきたが,素子の低抵抗化と高い磁気抵抗効果の両立が本質的に困難であった.そこでスピン流が縦方向に流れる縦型スピンFETを創成し,両者の両立を図る.本構造の場合,電極構造に広い自由度を確保したままチャネル長を極限まで短くでき,実用レベルの素子性能(磁気抵抗比100%)も実現可能である.本デバイスによりユーザー側で自由に設計可能な論理処理装置(CPU)を創成し,論理演算アルゴリズムの飛躍的性能向上を図ることが本研究の究極目標である.
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