半導体デバイスにおける機械的応力効果のシミュレーションモデル構築と汎用シミュレータへの実装

実施期間：2011 - 2011
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , その他部局等, 研究員 )
研究概要：

本研究開発では、応力効果を反映する電子移動度モデルを汎用デバイスシミュレータへ実装することを目的にした。すなわち、汎用デバイスシミュレータにおいて、応力効果の物理現象(電子存在確率の変化、散乱確率の変化、有効質量、および電子の真性濃度の変化)が取り扱えるようにした。実験結果との比較により電子移動度モデルおよびシミュレーション手法の有用性が確認でき、本事業範囲で設定した目的を達成した。シミュレータの改造を拡張性のある形式(API)で実施しており、今後は応力効果を反映する正孔移動度モデルの開発を進め、p型半導体(およびCMOSデバイス)の評価も可能としたい。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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