研課題
J-GLOBAL ID:202104016778511604  研究課題コード:08005686

高分子エレクトロニクスデバイスへ向けた薄膜パターンの無溶媒形成技術

実施期間:2007 - 2007
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 大学院共生科学技術研究院, 助教授 )
研究概要:
高分子デバイスの開発には高分子薄膜の微細パターンを形成する必要があるが、フォトリソグラフの手法を適用することは困難である。そこでモノマーの物理蒸着と光照射による重合を組み合わせ、高分子薄膜パターンを無溶媒で形成する、新規真空ドライプロセスを開発する。すなわち機能性モノマーを光重合開始剤と組み合わせて蒸着し、光照射部分のみに選択的に高分子薄膜を成長させ、真空中ワンバッチで製膜及びパターン化を行う。
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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