電子・スピン情報伝達磁性薄膜半導体材料の開発と応用

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 教育学部, 助教授 )
研究概要：

負の電子親和力(NEA: Negative Electron Affinity)を有する半導体(GaAs)表面上に、鉄などの強磁性多層薄膜を成長させた系での、電子・スピン情報を含めた電子デバイス開発を目的に、表面電子状態を調べる。表面組成および表面形状は本学実験室MBE装置のオージェ分光装置において行う。特に本課題では表面上の薄膜の存在・膜厚による電子状態とフェルミレベルの変化を明らかにする事を目的とする。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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