Yb-ファイバーレーザーによるセラミックス上への導電パターン直接書込み

実施期間：2011 - 2012
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , その他部局等, 研究員 )
研究概要：

絶縁性の酸化物セラミックス基板上にYb-ファイバーレーザーを走査するだけで、配線金属材料を使用せずに導電パターンを形成できる技術を開発する。従来の導電パターン作製技術に比べ極めて省エネルギー・省資源的なプロセスであり、導電回路作製の他、電子部品の作製などにも応用可能である。これまでに、ZnOやTiO2などでは、Yb-ファイバーレーザー照射により、電気抵抗率が大きく減少することを明らかにしたが、改質部の電気抵抗率は0.1~1Ωcm台であり、さらに低減する必要がある。本研究ではこの問題点を解決するため、TiO2を対象にし、レーザー照射条件の詳細な検討を行い、電気抵抗率を約2桁減少させる。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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