高密度基底状態原子発生源を活用した次世代窒化膜形成装置の実用化研究

実施期間：2008 - 2008
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部電気電子工学科, 教授 )
研究概要：

ギガヘルツ帯高速通信機器に化合物半導体デバイスが使用されている。この分野は日本が最も得意とし、世界市場を支配している。一方、シリコン市場と比較すると市場規模が小さいため生産効率が悪く、かつ特性を満足できず歩留まりを低下させている。この様な状況下で、本研究は次世代化合物半導体デバイス(HFET, MMIC等)の表面絶縁膜として不可欠なシリコン窒化膜を基板(GaAs, GaN等)上に低温(200°C以下で無損傷・無歪を目標)で堆積できる次世代半導体製造装置の開発を行う。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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