半導体ナノポアDNAシーケンサーの設計と試作

実施期間：2005 - 2005
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学研究院 )
研究概要：

本研究では、シリコンナノ加工技術を利用した新規半導体ナノポアDNAシーケンサーの設計とプロトタイプデバイスの作製を目指している。この新規デバイスは、不純物を高濃度にドープした超薄膜(=10nm)結晶シリコン層を表面に有するSilcon-On-Insulator(SOI)基板に、イオンビーム技術を利用して2-3nmの微小孔(ナノポア)を開け、高濃度ドープ超薄膜結晶シリコン層をナノスケール電極として、このナノポアを通過するDNAの一つ一つの塩基をロックイン技法を適用して高周波キャパシタンス測定により高速(~1μs)で読み取ることを特長としており、国内外に同種の技術は存在しない。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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