エピタキシャル強磁性トンネル接合を用いた強磁性体/半導体融合デバイス

体系的課題番号：JPMJPR0194
実施期間：2001 - 2004
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , リサーチアソシエイト )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR0194
研究概要：

本研究は強磁性体と半導体の融合デバイスに関するもので、原子スケールで界面構造を制御した強磁性体/半導体/強磁性体エピタキシャル三層ヘテロ構造に、ナノスケールの微細加工を施すことによって発現する新奇な磁気伝導現象を用いた機能デバイスを構築します。従来の半導体エレクトロニクスにキャリアのスピン自由度を応用した新しいエレクトロニクスの展開を目指します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：ナノと物性
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2004 終了報告書

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