鉄系超伝導体デバイスの物理的・工学的基盤の構築

実施期間：2011 - 2014
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学研究科, 教授 )
研究概要：

本研究の目的は、鉄系超伝導体の高品位薄膜という成果に基づき、デバイス応用に向けた物理的・技術的基盤を構築することである。日本側は主にMBE法、EU側は主にPLD法で鉄系薄膜作成を行う。試料の評価、基礎物性測定、接合作製などにおいても日本とEUの各グループが強みを持つ独自手法を網羅的に適用する。双方の研究チームが相互補完的に取り組むことにより、ギャップや対称性など重要な物理量解明が加速され、鉄系超伝導体のデバイス応用が飛躍的に進展することが期待される。

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