ワイドバンドギャップ半導体中における電荷捕獲準位の直接計測手法の開発

実施期間：2006 - 2006
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 助手 )
研究概要：

本研究においては、ワイドバンドギャップ半導体の電気特性に大きな影響を与える電荷捕獲準位のエネルギーならびに密度を定量的に測定する新たな測定法を開発する。本研究で提案する手法は捕獲準位に電荷キャリアを故意にトラップさせた上で、光I-Vを測定することにより電子と正孔のそれぞれに対する捕獲準位をスペクトロスコピー的に直接測定する。本研究では試料冷却装置を整備し、高エネルギー分解能測定の可能性を検証する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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