薄板状シリコン単結晶の直接育成技術の研究開発

実施期間：2012 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 大学院理工学研究科, 学術研究員 )
研究概要：

太陽電池SiウエハはSiインゴットを切断して作製されるが、その時の切断ロスはインゴット体積の60%を超える状況であり、太陽電池Siの低コスト化の障害になっている。我々が開発したSi融液に濡れない基板に種結晶とその上にSi原料を設置し融解凝固させることで、切断フリーの板状単結晶育成を目標に検討を行った。その結果、40mm角の殆ど単結晶の板状Siが育成出来た。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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