異種接合GaN横型トランジスタのインバータ展開

体系的課題番号：JPMJCR09E4
実施期間：2009 - 2014
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJCR09E4
研究概要：

省エネルギーの核となる「窒化ガリウム(GaN)インバータ」の基盤技術を確立します。そのため、結晶欠陥起因の電子準位とトランジスタ動作信頼性との相関を明らかにし、異種(ヘテロ)接合制御と新チャネル構造により、シリコン素子とは異なる新しい横型トランジスタを開発します。さらに、インバータの設計/シミュレーションと実験的評価によりGaNインバータとその集積化の切り口を探求します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2014 事後評価書 , 終了報告書

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