新規グラフェン系透明導電膜の開発および剥離・転写技術

実施期間：2012 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 理工学研究科, 教授 )
研究概要：

現在高性能電子デバイスは主にガラス等の耐熱性基板上に低圧CVD法などにより、600°C以上の高温で形成されている。しかし軽量フレキシブル化の動向から、現在フィルム上の成膜が期待されている。しかしフィルムの耐熱性温度は300°C程度であることから、高性能電子デバイスの直接形成には限界がある。このため簡単なプロセス技術で機能性薄膜・デバイスを耐熱性基板からフィルム上への剥離・転写技術の開発を検討した。具体的には、可用性酸化グラフェンをテンプレートに利用した多結晶Si、透明導電膜ZnO:Al(AZO)薄膜および積層膜のフィルム上への剥離・転写できる技術を確立した。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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