応用プロセス用大口径・高密度・低アスペクト比化されたヘリコンプラズマ源の開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 総合理工学研究院, 准教授 )
研究概要：

LSI用のシリコンウエハ、液晶表示、太陽電池などの大型化のための半導体薄膜の形成やエッチングなどの産業応用およびプラズマロケット等には、15インチ以上の大口径・高密度のプラズマ源が不可欠である。特にヘリコンプラズマは高密度が容易に得られるため、次世代プラズマ源として注目を集めている。本研究では、直径40cmと74cmの世界最大級の大口径装置で、0.5以下の低アスペクト比でも1012cm-3以上の高密度ヘリコンプラズマを生成できるかという可能性に挑戦し、その特性を評価する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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