研課題
J-GLOBAL ID:202104018639586066
研究課題コード:11101131
新規結晶欠陥抑制手法によるSiC接合障壁ショットキーダイオードの開発
実施期間:2011 - 2011
実施機関 (1件):
研究責任者:
(
, 大学院工学研究科, 准教授 )
研究概要:
本研究開発で我々は新規手法である陽極酸化欠陥抑制法(PDA法)を用い、SiC表面の欠陥のショットキー障壁に及ぼす影響を抑制することで、高性能なSiC接合障壁ショットキー(JBS)ダイオードの開発を試みた。n型4H-SiCエピ膜を基にしたJBSダイオードを作製し逆方向電流を測定し、その後同じ試料に対しPDA法を適用した上で、再度JBSダイオードを作製し逆方向電流を測定することでPDA法適用前後の特性を比較した。その結果、PDA法適用前のJBSダイオードの逆方向電流が比較的大きかったこともあり、目標値には到達しなかったもののPDA法の適用により逆方向電流が低減できたことが確認された。
タイトルに関連する用語 (6件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した研究課題タイトルの用語をもとにしたキーワードです
,
,
,
,
,
研究制度:
>
>
>
研究所管機関:
前のページに戻る