高密度中性原子発生装置の開発と次世代半導体プロセスへの応用

実施期間：2006 - 2006
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部電気電子工学科, 教授 )
研究概要：

次世代超高集積回路製造に向けて、低温下でナノから数ミクロンオーダーの厚さの高機能薄膜が成長が行える大口径ウエハ対応高密度中性原子発生装置を開発することを目的とする。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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