ZnO単結晶基板と格子整合する青色発光用「高品質InGaN」の薄膜成長技術の確立

実施期間：2006 - 2006
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 金属材料研究所, 教授 )
研究概要：

本試験では、ZnO 単結晶基板上への InGaN 薄膜の格子整合成長技術の確立および InGaN 結晶の高品質化を目指し、高性能青色発光素子をはじめとして、窒化物半導体による高性能素子の開発を目的とする。ZnO 単結晶基板の前処理法および基板保護法を確立し、ZnO 単結晶基板上へのInGaN 成長の条件検討と評価を行う。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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