CVD法による高信頼性ナノ配線プロセス技術の開発

実施期間：2006 - 2006
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻, 助手 )
研究概要：

本試験では、配線バリア層を自己形成する Cu-Mn 合金に着目し、密着性が高く、CVD による高い段差成膜性を有するLSI 銅配線形成プロセスを開発することを目的とする。具体的には、CVDプロセス条件の検討、熱処理後の不純物元素の分布、評価および段差皮膜性の評価を行う。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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