HfO2強誘電体を用いた機能性トランジスタの開発

体系的課題番号：JPMJKB1903
実施期間：2020 - 2022
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJKB1903
研究概要：

HfO2強誘電体薄膜の新機能開拓とそのトランジスタ集積技術を共同で研究開発し、AIシステムに不可欠な機能性トランジスタの基盤技術を構築することを目的とする。その成果はAIチップの製造を加速し、スマートで知的な社会生活の実現に貢献する。

, , , ,