研課題
J-GLOBAL ID:202104019939628417
研究課題コード:08068980
段差被覆性に優れたIr系薄膜形成技術の開発
実施期間:2008 - 2008
実施機関 (1件):
研究代表者:
(
, 大学院工学研究科電気系工学専攻, 助教 )
研究概要:
1トランジスタ-1キャパシタ(1T-1C)型の不揮発性強誘電体メモリ(FeRAM)の高集積化のためには三次元立体強誘電体キャパシタの形成技術の確立が急務である。本申請課題では、1T-1C型FeRAMへの応用を目的として、段差被覆性に優れたIr系電極薄膜形成技術(有機金属化学気相堆積法)の開発に取り組む。
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