量子細線レーザーの作製とデバイス特性の解明

体系的課題番号：JPMJCR02B1
実施期間：2002 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 物性研究所, 助教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B1
研究概要：

構造均一性の極めて高い半導体量子細線を用いて、量子細線レーザーを作製し、低発振閾値電流や高微分利得などの超高速・超省電力に直接結びつく高性能化の実証を行います。また、量子細線の擬1次元系に特徴的な物性・デバイス特性を解明するための物理計測を詳細に行い、量子細線レーザー発振の起源・特性および擬1次元系高密度電子・正孔状態での多体電子相関とそれが引き起こす光学過程の新効果・新現象を、実験と理論の両面から明らかにします。