研課題
J-GLOBAL ID:202104020285223151  研究課題コード:10102290

新規三元系セラミックス薄膜の低温合成技術の開発

実施期間:2010 - 2010
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , その他部局等, 研究員 )
研究概要:
新規三元系セラミックスとして、MAX相の一つであるTi3SiC2に着目した。アークガンを用いて、基板にパルスバイアス電圧を印加し、500°C以下の低温でMAX相Ti3SiC2薄膜の合成を目指した。作製した膜はいずれもアモルファス構造であった。この膜を真空中で熱処理したところ、500°C以上ではあるが結晶化することがわかった。また、基板バイアス電圧が高いほど、結晶化領域の面積割合が大きくなることもわかった。今回、500°C以下で合成するという目標は達成できなかったが、今後は、基板バイアス電圧以外の作成条件も最適化し、さらに低温でのMAX相の合成を進めていく。
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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