研課題
J-GLOBAL ID:202104020397034866  研究課題コード:11101052

LSI配線におけるナノコイル型層間絶縁膜の研究開発

実施期間:2011 - 2011
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 理工学部(矢上), 准教授 )
研究概要:
本研究では、低誘電率かつ高剛性の層間絶縁膜を製作することを目的とし、動的斜め蒸着法により、ナノ構造を有する層間絶縁膜を製作し、それらの観察、機械的性質、電気的性質を調べた。その結果、 成膜中の基板傾斜角度を変えることで内部構造を変化させることが可能であり、研磨プロセスに耐えうるヤング率である4 GPaをクリアするための成膜条件を明らかにした。また、ナノ構造体薄膜を絶縁膜とした多層膜を製作し、その静電容量を測定した。サイズが小さく、比誘電率の測定に成功しなかったが、今後は、測定および評価方法に検討を加え、さらに、均一なナノ構造とするための技術を開発し、実用化へ向けて研究を進めていく予定である。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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