研課題
J-GLOBAL ID:202104020519575219  研究課題コード:7700000295

エピタキシャル成長による半導体と磁性体の一体化

体系的課題番号:JPMJPR95L7
実施期間:1995 - 1998
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 大学院工学系研究科, 助教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR95L7
研究概要:
強磁性金属と半導体との異種物質ヘテロエピタキシーを実現し、原子レベルで構造・膜厚を制御した磁性体/半導体エピタキシャル超構造を作製することにより、半導体エレクトロニクスの世界にスピンテクノロジーという新しい自由度をもたらします。
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
上位研究課題: 場と反応
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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