研課題
J-GLOBAL ID：202104020625692747
研究課題コード：20348074
革新的スピン注入技術を用いた縦型半導体スピン素子の創成
体系的課題番号：JPMJPR20BA
実施期間：2020 - 2023
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院基礎工学研究科, 特任助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR20BA
研究概要：
本研究では,原子層制御した強磁性体/半導体界面を有する縦型半導体スピン素子構造を実現することで,室温動作高性能スピン素子の創成を目指します.半導体スピン素子の飛躍的性能向上に向けて,原子レベルで急峻な強磁性体/半導体エピタキシャル界面を実現すると共に,縦型スピン素子中の半導体中間層への原子層ドーピング技術の確立に取り組みます.これにより三次元集積可能な超低消費電力素子の社会実装への道を開拓します.
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情報担体とその集積のための材料・デバイス・システム
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