研課題
J-GLOBAL ID:202104020674006506  研究課題コード:09157020

MOSトランジスタによる薄膜構造体の応力検出技術の開発

実施期間:2009 - 2009
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 理工学部機械システム系・マイクロ機械システム工学科, 准教授 )
研究概要:
薄膜構造体上に形成したMOSトランジスタを利用し、薄膜変形時における電気特性の変化から局所的な応力検出を実現する、新たな薄膜材料用機械的特性評価の方法を開発する。このためトランジスタを組み込んだ薄膜の引張試験を実施し、トランジスタのキャリア移動度と薄膜表面に生じる応力の関係を明確にする。トランジスタを応用することで、局所応力の測定が可能となる高空間分解能な応力検出センサの実現が期待できる。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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