研課題
J-GLOBAL ID：202104020686224517
研究課題コード：10101582
シリサイド半導体pn接合によるSiベース薄膜結晶太陽電池
体系的課題番号：JPMJCR10Q3
実施期間：2010 - 2015
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院数理物質科学研究科, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR10Q3
研究概要：
本研究では、資源の豊富なSiとBaで構成されるBaSi2という新しい材料を用いて、pn接合型の薄膜結晶太陽電池を開発します。この材料を用いると、1μm程度の厚さでエネルギー変換効率が25%を超える太陽電池の形成が原理的に可能になります。太陽電池の性能を左右するpn接合について、高品質なpn接合形成のための製膜技術の開発に注力し、この新しい材料の薄膜太陽電池用材料としてのポテンシャルを示すことを目標とします。
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太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出
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