8インチウエハ用めっきプロセス及びアニール技術革新による低抵抗Cu配線の形成と次世代LSIへの展開

実施期間：2007 - 2009
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学部, 教授 )
研究概要：

次世代高速LSIの実現には、微細化とともに増大するCu配線の抵抗率を低減する技術開発が不可欠である。本研究は、めっき材料の高純度化により、幅50nm超微細配線の抵抗率を従来プロセスで作製したCu配線のそれよりも著しく低減できるというチップでの基礎データをもとに、1)高純度めっき材料を用いた技術ノード32nmの配線溝を有する8インチウエハへの均一Cu配線めっき技術、2)1)とアニール技術の最適化により、配線長さ方向において均一・粗大粒を有するCu配線の形成プロセス要素技術を開発した。8インチウエハにおける幅30nmCu配線の抵抗率を現状プロセス品に比べ約30%低減できることを実証できた。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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