半導体製造チャンバーのH2パルスプラズマによるクリーニング技術の開発

実施期間：2012 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 大学院工学研究科, 准教授 )
研究概要：

太陽電池製造工程におけるチャンバークリーニング用ガスとして、従来のメカニカルな清掃や高価なNF3ガスを用いたクリーニング方法に代わり、H2を用いたプラズマクリーニング技術を開発する。Poly-Si薄膜を用いたパルスプラズマによる予備実験の結果、電極の構造、圧力、アルゴンガスの添加によりクリーニングが影響されることを明らかにし、アルゴンを添加した条件でクリーニングレートとして0.01 μm/minが得られた。各種処理条件に対するクリーニングレートを把握し、そのメカニズムを解析することにより、実用的なクリーニングレート(0.1 μm/min)となる条件を見出す。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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