研課題
J-GLOBAL ID:202104021440946307  研究課題コード:09158278

β-酸化ガリウムとZnOを用いた自立GaN膜の形成技術の開発

実施期間:2009 - 2009
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 理工学部, 教授 )
研究概要:
サファイア基板を用いて自立GaN単結晶(サファイア基板が付いていない状態を自立と呼ぶ)を得る新しい方法を開発するのが目的である。犠牲層としてZnOを用い、結晶性向上の為の中間層として (
201
)配向β-酸化ガリウム(Ga2O3)層を用いる。酸素プラズマ中のZn蒸着、Ga蒸着、窒素プラズマ中のGa蒸着により、ZnO層、β-Ga2O3層、GaN層を形成する。結晶性の良い最上層GaNを得る条件を研究する。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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