研課題
J-GLOBAL ID:202104021464518039
研究課題コード:20338893
低コストな絶縁基板上における高キャリア移動度半導体成膜技術の開発
体系的課題番号:JPMJTM20GV
実施期間:2020 - 2021
実施機関 (1件):
研究代表者:
(
, システム情報科学研究院, 准教授 )
DOI:
https://doi.org/10.52926/JPMJTM20GV
研究概要:
半導体薄膜センサが実用化されつつあるが、高性能な半導体薄膜センサの作製には高価な成膜用基板が必要で、低価格化を阻害する要因となっている。半導体薄膜センサの更なる普及には、ガラス等の安価な基板の採用が必須であるが、ガラス基板を用いると、半導体薄膜の特性が劣化する問題がある。本提案では、半導体薄膜センサの応用分野の拡大を目指し、高性能かつ低コストな半導体薄膜センサを実現するため、申請者のグループが有する結晶成長技術をベースに、半導体薄膜を安価な絶縁基板上に高品位形成する結晶成長プロセスを開発する。本技術の実用化により薄膜半導体センサの市場規模が拡大すると共に、新規応用分野の開拓が期待される。
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