田中敦之

タナカアツシ | Tanaka Atsushi

所属機関・部署：
職名：特任准教授

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (1件)：パワーデバイス、デバイス設計、デバイスプロセス、結晶欠陥、転位、レーザ加工、GaN、SiC、半導体デバイス物理

競争的資金等の研究課題 (4件)：

論文 (79件)：

Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, et al. Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers. Journal of Applied Physics. 2024. 135. 18
Kawasaki S, Kumabe T, Ando Y, Deki M, Watanabe H, Tanaka A, Honda Y, Arai M, Amano H. Junction Diameter Dependence of Oscillation Frequency of GaN IMPATT Diode Up to 21 GHz. IEEE Electron Device Letters. 2023. 44. 8. 1328-1331
Kwon W, Kawasaki S, Watanabe H, Tanaka A, Honda Y, Ikeda H, Iso K, Amano H. Reverse Leakage Mechanism of Dislocation-Free GaN Vertical p-n Diodes. IEEE Electron Device Letters. 2023. 44. 7. 1172-1175
Park J.H, Pristovsek M, Cai W, Cheong H, Tanaka A, Furusawa Y, Han D.P, Seong T.Y, Amano H. Impact of Sidewall Conditions on Internal Quantum Efficiency and Light Extraction Efficiency of Micro-LEDs. Advanced Optical Materials. 2023. 11. 10
Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka, et al. Investigation of Electrical Properties of N-Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors. physica status solidi (a). 2023

MISC (1件)：

Qiang Ma, Shiyo Urano, Yuji Ando, Atsushi Tanaka, Akio Wakejima. Impact of SiN passivation film stress on electroluminescence characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors. Applied Physics Express. 2021. 14. 9

特許 (27件)：

書籍 (2件)：

学歴 (3件)：

経歴 (6件)：

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田中 敦之