瘧師貴幸

ギャクシタカユキ | Gyakushi Takayuki

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： https://www.ist.hokudai.ac.jp/labo/nano-mat/

研究分野 (5件)：金属材料物性 , 半導体、光物性、原子物理 , ナノマイクロシステム , 電子デバイス、電子機器 , 応用物性

研究キーワード (18件)：電子デバイス・電子機器 , 複雑系 , 量子ドット , Nanoscience , Mesoscopic devices , Single electronics , ナノ粒子 , 自己組織化 , ナノデバイス , トンネル接合 , 単電子トンネル伝導 , ゆらぎ , 電荷 , 金属 , 単電子デバイス , 揺らぎ許容デバイス , ナノドット , 電子デバイス

競争的資金等の研究課題 (1件)：

2022 - 2024 金属ナノ粒子によるランダムネットワークを用いた新しい機能デバイスの開拓

論文 (5件)：

Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Ryota Tanizawa, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Characteristics of the single-electron conduction properties of randomly distributed metal nanodot arrays. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 025001-025001
Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Double gate operation of metal nanodot array based single electron device. Scientific Reports. 2022. 12. 1
Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Double-Gate Operation of Metal Nanodot-Array-Based Single-Electron Device. Research Square (Preprint). 2022
Takayuki Gyakushi, Yuki Asai, Shusaku Honjo, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Charge-offset stability of single-electron devices based on single-layered Fe nanodot array. AIP Advances. 2021. 11. 3. 035230-035230
Takayuki Gyakushi, Yuki Asai, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Periodic Coulomb blockade oscillations observed in single-layered Fe nanodot array. Thin Solid Films. 2020. 704. 138012-138012

MISC (20件)：

Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Coulomb Blockade Oscillations Oberved in Micrometer-sized Single-Electron Device of Metal Nanodot Array. 2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). 2022
T. Gyakushi, Y. Asai, B. Byon, I. Amano, M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi. Non-Uniform Gate-Capacitance Distribution in Fe Nanodot Array Based Double-Gate Single-Electron Devices Due to Geometrical Structure of the Dots. Extended Abstract of the 2021 Internat. Conf. Sol. Stat. Dev. Materials (2021). 2021
T. Gyakushi, Y. Asai, S. Honjo, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi. Charge offset stability of Fe nanodot device embedded in an insulating MgF2. 12th Internat. Conf. Sci. .Technol. .Adv. Ceramics (STAC12). 2021
瘧師貴幸, 浅井佑基, 本庄周作, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. 単層Feナノドットアレイ単電子デバイスのオフセットチャージ安定性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. 異なるSiO₂下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th

講演・口頭発表等 (21件)：

熱酸化・スパッタ成膜SiO2上に形成した金属ナノドットアレイの特性
(第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
Coulomb blockade oscillations observed in micrometer-sized single-electron device of metal nanodot array
(2022 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2022) 2022)
金属マルチドット単電子デバイスの電気特性のデバイスサイズ依存性
(第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
金属ナノドットアレイデバイスにおける電気特性のアレイサイズ依存性
(第57回応用物理学会北海道支部学術講演会 2022)
熱酸化およびスパッタ製膜SiO2上に形成したFeナノドットアレイの単電子特性
(第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)

学歴 (4件)：

2020 - 現在北海道大学大学院情報科学院情報科学専攻情報エレクトロニクスコース
2018 - 2020 北海道大学大学院情報科学院情報エレクトロニクス専攻情報エレクトロニクスコース
2014 - 2018 北海道大学工学部情報エレクトロニクス学科
2011 - 2014 海城高等学校

学位 (1件)：

博士 (工学) (北海道大学)

経歴 (1件)：

2022/04 - 現在独立行政法人日本学術振興会特別研究員 (DC2)

受賞 (7件)：

2022/06 - 日本学生支援機構特に優れた業績による返還免除 (全額)
2021/07 - 公益財団法人日揮・実吉奨学会給付型奨学生採用
2021/06 - 一般社団法人電子情報通信学会令和3年度電子デバイス研究会論文発表奨励賞
2020/07 - 日本学生支援機構特に優れた業績による返還免除 (半額)
2019/12 - 公益財団法人クロサワ育成財団給付型奨学生採用

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所属学会 (1件)：

応用物理学会

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