研究者
J-GLOBAL ID：202201019031443923   更新日: 2024年12月09日

双 逸

シュアン イ | SHUANG YI
所属機関・部署：
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻

東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 について


職名： 助教
研究分野 (1件)： 無機材料、物性
研究キーワード (5件)： 窒化物薄膜 ,  カルコゲナイド薄膜 ,  セレクタ材料 ,  相変化メモリ ,  不揮発性メモリ
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2024 - 2028 準一次元vdW相変化材料とその電子デバイスへの展開
  • 2024 - 2027 酸素誘起Cr空孔制御によるpnホモ接合CrNフレキシブル熱電デバイスの創成
  • 2024 - 2026 超省エネルギー化を目指した次世代グリーン型窒化物相変化メモリの開発
  • 2024 - 2026 次世代高集積省エネルギー相変化メモリに向けた準一次元vdW構造型相変化材料の開拓
  • 2022 - 2024 窒化物の高速相変化現象とそのメモリデバイスへの展開
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論文 (30件)：
  • Yi Shuang, Yuta Saito, Shogo Hatayama, Paul Fons, Ando Daisuke, Yuji Sutou. Amorphous-to-crystalline transition-induced two-step thin film growth of quasi-one-dimensional penta-telluride ZrTe5. Journal of Materials Science and Technology. 2025. 210. 246-253
  • Yi Shuang, Shunsuke Mori, Takuya Yamamoto, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Paul J. Fons, Yun-Heub Song, Jin-Pyo Hong, Daisuke Ando, Yuji Sutou. Soret-Effect Induced Phase-Change in a Chromium Nitride Semiconductor Film. ACS Nano. 2024
  • Misako Morota, Shogo Hatayama, Yi Shuang, Shunsuke Mori, Yuji Sutou, Paul Fons, Yuta Saito. Interfacial reaction behavior between ferromagnetic CoFeB and the topological insulator Sb2Te3. Surfaces and Interfaces. 2024. 51
  • 双 逸, 姜 信英, 須藤祐司. 相転移材料の最新動向とニューロモルフィックデバイスへの応用. 電子情報通信学会誌. 2024. 107. 4. 334-339
  • Yi Shuang, Daisuke Ando, Yunheub Song, Yuji Sutou. Direct observation of phase-change volume in contact resistance change memory using N-doped Cr2Ge2Te6 phase-change material. Applied Physics Letters. 2024
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MISC (21件)：
  • 李世元, 双逸, 安藤大輔, 須藤祐司, 須藤祐司. スパッタ蒸着RuTe_2薄膜における相変化挙動【JST・京大機械翻訳】. 日本金属学会講演大会(Web). 2024. 174th
  • 李世元, 双逸, 安藤大輔, 須藤祐司, 須藤祐司. MnTe_2膜の組成相と電気的性質に及ぼすスパッタリング条件の効果【JST・京大機械翻訳】. 日本金属学会講演大会(Web). 2023. 172nd
  • 姜信英, 金美賢, 逸双, 逸双, 安藤大輔, 須藤祐司. SiドープGeTeの電気的性質研究【JST・京大機械翻訳】. 日本金属学会講演大会(Web). 2023. 172nd
  • 金美賢, 双逸, 安藤大輔, 須藤祐司, 須藤祐司. Cr-Mn-Te多形変化薄膜の不揮発性相変化メモリへの応用可能性. 日本金属学会講演大会(Web). 2023. 172nd
  • 王吟麗, 双逸, 中嶋真優, 安藤大輔, 成田史生, 須藤祐司, 須藤祐司. 引張試験中のCr_2Ge_2Te_6結晶膜のピエゾ抵抗効果【JST・京大機械翻訳】. 日本金属学会講演大会(Web). 2023. 172nd
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特許 (2件)：
講演・口頭発表等 (71件)：
  • d- and f-Electron Type Chalcogenides Realizing Unique Resistive Change Behavior
    (2024 MRS Fall Meeting & Exhibit 2024)
  • Two-Step Thin Film Growth of Quasi-One-Dimensional Penta-Telluride ZrTe5 Realized by an Amorphous-to-Crystalline Transition
    (2024 MRS Fall Meeting & Exhibit 2024)
  • Effect of annealing on magnetic properties of CrMnTe thin films
    (PCOS2024 2024)
  • Innovative Phase Change Materials for PCRAM Application Targeting Low Thermal Power Consumption
    (PCOS2024 2024)
  • Changes in magnetic property of Cr-incorporated MnTe film
    (PCOS2024 2024)
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学歴 (2件)：
  • 2018 - 2021 東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 博士課程
  • 2016 - 2018 東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 修士課程
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東北大学)
経歴 (4件)：
  • 2024/10 - 現在 JST 創発研究者
  • 2024/10 - 現在 東北大学, 大学院工学研究科, 知能デバイス材料学専攻, 助教
  • 2021/10 - 現在 東北大学 材料科学高等研究所 助教
  • 2019/04 - 2021/09 独立行政法人日本学術振興会 特別研究員 (DC1)
受賞 (8件)：
  • 2024/11 - PCOS相変化研究会 最優秀賞 Investigation of the Phase-change Behaviors of Cr-Te Thin Films
  • 2024/11 - PCOS相変化研究会 優秀賞 Feasibility Study of V-Te Thin Film as a Phase-Change Material
  • 2024/11 - The 8th Symposium for the Core Research Clusters for Materials Science and Spintronics Best Poster Award Phase-change chromium nitride for next-generation nonvolatile memory
  • 2024/09 - 日本金属学会 第43回優秀ポスター賞受賞者 Cr-Te薄膜の結晶多形変化挙動
  • 2024/05 - 公益財団法人本多記念会 第64回原田研究奨励賞
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所属学会 (2件)：
日本金属学会 ,  応用物理学会
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