抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ゲルマニウム表面上のレーザ誘起マイクロ爆発の高度に分解された時間発展を,種々のゲート電荷レベルとカソード電流の三極配置で研究した。個々のスポットからのElectron放出をルミネセンススクリーンで直接画像化し,光源の開口角が約30°であることを示した。約150nsの時間間隔でパルス当たりいくつかのナノクーロンのElectronバンチをカソードギャップの真空破壊なしにアノードに直接抽出した。破壊が起こるとき,約1kVの閾値ギャップ電位のアーク挙動の顕著な変化が観察され,それは個々のスポットの陰極降下に依存する2つの異なる蒸発機構にヒントを与える。したがって,閾値以上の電圧に対して,高速ゲート放電が最初の100~200ns内に観察され,プラズマ境界からパルス当たり数μCの基本的なプラズマ振動と電子放出が続く。さらに,ゲルマニウムイオンクラスターの高効率発光が起こり,プラズマ中で安定な2倍電子増倍を示し,閾値以下のパルス当たり数μCの電荷を示した。【JST・京大機械翻訳】