Wigner-Mott絶縁体におけるフラストレートした磁気相互作用【JST・京大機械翻訳】

Tang Yanhao; Su Kaixiang; Li Lizhong; Xu Yang; Liu Song; Watanabe Kenji; Taniguchi Takashi; Hone James; Jian Chao-Ming; Xu Cenke; Mak Kin Fai; Shan Jie

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202205784219882 整理番号：22P0333436

Wigner-Mott絶縁体におけるフラストレートした磁気相互作用【JST・京大機械翻訳】

Frustrated magnetic interactions in a Wigner-Mott insulator

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資料名：
発行年： 2022年04月17日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年04月17日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

量子凝縮物質をシミュレートし,探索するための高度に制御可能なプラットフォームとして,二次元半導体モア’e材料が出現した。実固体と比較して,半導体モア’e材料中の電子は,Moir’e格子サイトにあまり強く引き込まれず,Anderson超交換と同様に重要な磁気相互作用への非局所寄与をしている。それは,競合する磁気相互作用の効果を研究するためのユニークなプラットフォームを提供する。ここでは,角度整列WSe_2/WS_2ヘテロ二重層におけるモア格子の2/3充填におけるWigner-Mott絶縁状態における強くフラストレートした磁気相互作用の観察を報告した。磁気光学測定は,正味交換相互作用が2/3充填で強い抑制で1以下の充填因子に対する反強磁性であることを示した。この抑制は,近接金属ゲートによるWigner-Mott絶縁体の長距離Coulomb相互作用と融解のスクリーニングによって持ち上げられる。結果は反強磁性最近接結合と強磁性第二隣接結合を持つハニカム格子スピンモデルにより定性的に捕捉できる。本研究では,格子スピン物理とフラストレート磁性のためのモデル系として半導体モア’e材料を確立した。【JST・京大機械翻訳】

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金属-絶縁体転移

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