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J-GLOBAL ID：202202210259757334   整理番号：22A0778386

MUXベースの新しい9トリットCMOS三元バレルシフタ【JST・京大機械翻訳】

MUX-Based Novel 9-trit CMOS Ternary Barrel Shifter

著者 (5件)： Chakraborty Somashree (Department of Electronics and Communication Engineering, Dr. B. C. Roy Engineering College, Durgapur, India) ,  Priya Sonali (Department of Electronics and Communication Engineering, Dr. B. C. Roy Engineering College, Durgapur, India) ,  Kumari Tripti (Department of Electronics and Communication Engineering, Dr. B. C. Roy Engineering College, Durgapur, India) ,  Thakur Saloni (Department of Electronics and Communication Engineering, Dr. B. C. Roy Engineering College, Durgapur, India) ,  Saha Aloke (Department of Electronics and Communication Engineering, Dr. B. C. Roy Engineering College, Durgapur, India)
資料名： Lecture Notes in Electrical Engineering  (Lecture Notes in Electrical Engineering)
巻： 851  ページ： 73-81  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5070A  ISSN： 1876-1100  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一クロックサイクルにおけるデータ転送のブロックを提供するためのキーデータパス要素の1つとして,バーレルシフターがある。三元バレルシフタ(T-バレルシフタ)は,バイナリベース対応物と比較して,相互接続複雑性の減少と関連する欠点により,回路/システムコミュニティ間の引力の中心である。本研究では,32nm CMOS技術で3:13元マルチプレクサを用いた新しい9トリット三元バレルシフタを調べた。シフトと回転操作のためのこの提案したTバレルシフタを考察した。それぞれ,0,0.5,および1.0Vの3成分数字値「0」,「1」,および「2」を考察した。この提案した回路を,Tanner EDAを用いた32nm標準CMOS技術において,27°Cの温度で1.0V電源レールを有する強化型金属酸化物半導体(E-MOS)トランジスタを用いて設計し,最適化した。提案した設計の検証は,区分的線形(PWL)3元入力による広範なT-Spice過渡シミュレーションを実行することによって実施した。シフトと回転操作のための提案したバレルシフタの特性を評価し,記録した。Copyright The Author(s), under exclusive license to Springer Nature Singapore Pte Ltd. 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  トランジスタ ,  レール ,  相互接続 ,  三成分系 ,  多重装置 ,  線形性 ,  データ転送 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 複雑性 ,  CMOS技術 ,  過渡シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 相互接続の複雑さ ,  パワー遅延製品(PDP) ,  三元バレルシフタ ,  三成分系数系 ,  三元マルチプレクサ

分類 (2件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： トリット ,  CMOS