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J-GLOBAL ID：202202210452252147   整理番号：22A0696077

SiC MOSFETと比較した650V GaN/SiCカスコードデバイスの短絡故障メカニズム【JST・京大機械翻訳】

Short-Circuit Failure Mechanisms of 650-V GaN/SiC Cascode Devices in Comparison With SiC MOSFETs

著者 (5件)： Sun Jiahui (Hong Kong University of Science and Technology Shenzhen Research Institute, Shenzhen, China) ,  Zhong Kailun (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Zheng Zheyang (Hong Kong University of Science and Technology Shenzhen Research Institute, Shenzhen, China) ,  Lyu Gang (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Chen Kevin J. (Hong Kong University of Science and Technology Shenzhen Research Institute, Shenzhen, China)
資料名： IEEE Transactions on Industrial Electronics  (IEEE Transactions on Industrial Electronics)
巻： 69  号： 7  ページ： 7340-7348  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0234A  ISSN： 0278-0046  CODEN： ITIED6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ/炭化ケイ素(SiC)接合電界効果トランジスタ(JFET)カスコード素子は,SiC金属光電子増倍半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)よりも一定の性能利点を示すが,過酷な動作条件におけるロバスト性は未知である。本研究では,650V GaN/SiCカスコードデバイスの短絡回路(SC)ロバスト性を特性化し,解析し,いくつかの主流SiC MOSFETと比較した。GaN/SiCカスコードデバイスは競合SC能力を示した。異なる故障モードが観察された:キャッコードデバイスのSiC JFETにおける熱暴走とSiC MOSFETにおけるゲートからソースへの破壊。この差は,JFETとソースパッドレイアウトにおけるSiC上の誘電体の配置と関連する。SC事象,故障点,および熱シミュレーション結果の波形に従って,SiC JFETにおける熱暴走は,頂部にソースパッドのない局所領域(ホットスポット)におけるドレイン漏れ電流と接合温度の間の正のフィードバックに起因する。カスコードデバイスのSC耐性時間は,ソースパッドのない活性面積の削減によって拡張できる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  誘電体 ,  *故障 ,  *MOSFET ,  炭化ケイ素 ,  漏れ電流 ,  *縦続接続 ,  接合形FET ,  窒化ガリウム ,  ホットスポット ,  HEMT ,  故障モード ,  ロバスト性
準シソーラス用語： *カスコード ,  接合温度 ,  熱暴走 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  GaN ,  カスコード ,  短絡故障 ,  メカニズム