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J-GLOBAL ID:202202210456190911   整理番号:22A0150351

Si(111)上のPb/NiSi_2原子サンドイッチ【JST・京大機械翻訳】

Pb/NiSi2 atomic sandwich on Si(111)
著者 (11件):
資料名:
巻: 716  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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PbとNiSi_2の単一原子層から成る原子サンドイッチをSi(111)上に成長させ,その構造的,電子的および輸送特性を,一連の実験技術,走査型トンネル顕微鏡,角度分解光電子分光法,その場輸送および磁気輸送測定,および密度汎関数理論計算を用いて解明した。Pb層はPbの約1.1単分子層を組み込み,室温で溶融様1×1構造を示し,低温への冷却で7×7R38.2°(すなわち,(83~35))と「21×39」(すなわち,(4-157))構造に結晶化する。Pb/NiSi_2/Si(111)サンドイッチの電子バンド構造は,NiSi_2に関連した2つのバンドと,異なる層に属する電子のマイナーなハイブリダイゼーションを伴うPbに関連した2つのスピン分裂バンドを含む。低温での輸送特性に関しては,サンドイッチは超伝導性に明確な兆候がないが,高いコンダクタンスを示す。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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固-気界面一般  ,  半導体の表面構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
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