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J-GLOBAL ID：202202210472120180   整理番号：22A0475519

元素水銀除去用の有効な材料としての炭化ケイ素(SiC)単分子層【JST・京大機械翻訳】

Silicon carbide (SiC) monolayers as an effective material for removal of elemental mercury

著者 (7件)： Cao Yan (School of Mechatronic Engineering, Xi’an Technological University, Xi’an, 710021 China) ,  El-Shorbagy M.A. (Department of Mathematics, College of Science and Humanities in Al-Kharj, Prince Sattam bin Abdulaziz University, Al-Kharj 11942, Saudi Arabia) ,  El-Shorbagy M.A. (Department of Basic Engineering Science, Faculty of Engineering, Menoufia University, Shebin El-Kom 32511, Egypt) ,  Kumar Singh Pradeep (Department of Mechanical Engineering, Institute of Engineering & Technology, GLA University, Mathura, U.P, 281001, India) ,  Aly Ayman A. (Department of Mechanical Engineering, College of Engineering, Taif University, P.O.Box 11099, Taif 21944, Saudi Arabia) ,  Felemban Bassem F. (Department of Mechanical Engineering, College of Engineering, Taif University, P.O.Box 11099, Taif 21944, Saudi Arabia) ,  Sarkar A. (Indian Institute of Science, Bangalore, Karnataka 560012, India)
資料名： Journal of Molecular Liquids  (Journal of Molecular Liquids)
巻： 347  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0924A  ISSN： 0167-7322  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 元素水銀は,生態系に有害なスタックガス中に見出される元素の1つである。気相からの元素水銀の除去は,それが水に可溶で,化学的に安定で,揮発性が高いので,主要な課題の1つである。したがって,ガス混合物から元素水銀を除去する高効率の新規な吸着剤の開発は,最も重要である。ここでは,密度汎関数理論(DFT)計算を用いて,炭化ケイ素(SiC)単分子層上へのHg0の吸着を調べることにより,水銀を除去するための新規な吸着剤を開発した。Hg0原子は,約-0.51eVの吸着エネルギーで純粋なSiC単分子層上に化学的に吸着されることを見出した。さらに,Hg0分子の吸着はSiC単分子層の電気伝導率を増加させた。また,電荷輸送は,Hg0にSiC単分子層を形成し,Hg0とSiC単分子層間の相互作用が集中的であることを示した。SiC単分子層上へのHg0分子の提案した吸着は,Hg0の工業的除去のための新しい吸着剤を開発する有用な洞察を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  混合気体 ,  相互作用 ,  電気伝導率 ,  *水銀 ,  *単分子層 ,  *炭化ケイ素 ,  吸着剤 ,  揮発性 ,  気相 ,  生態系 ,  密度汎関数法 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 元素水銀 ,  密度汎関数理論 ,  炭化ケイ素 ,  吸着

分類 (4件)： 有害ガス処理法  (SC04030H) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  産業排ガス処理  (SC04040S) ,  水銀とその化合物  (SB05023Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 元素 ,  水銀除去 ,  炭化ケイ素 ,  SiC ,  単分子層