文献

J-GLOBAL ID：202202210583833647   整理番号：22A0574295

単一半導体ナノワイヤにおける単一ドーパントの容易面磁気異方性【JST・京大機械翻訳】

Easy-plane magnetic anisotropy of a single dopant in a single semiconductor nanowire

著者 (2件)： Gueler-Kilic Suemeyra (Department of Physics, Gebze Technical University, 41400 Kocaeli, Turkey) ,  Kilic Cetin (Department of Physics, Gebze Technical University, 41400 Kocaeli, Turkey)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 547  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一ZnOナノワイヤ中の孤立置換Co不純物の磁気異方性を,Hubbard U補正による密度汎関数スーパーセル計算を行って研究した。ナノワイヤの異なる領域におけるCo原子の位置による磁気異方性エネルギーの変化を調べた。通常の予想に反して,単一CoドープZnOナノワイヤは磁化の容易面(容易軸とは反対)を有し,ナノワイヤ軸に平行で垂直でないことが分かった。容易な平面の配向はドーパント周りの局所形状によって決まる。結果はまた,Co不純物が内部サイトから表面サイトに移動するとき,磁気異方性エネルギーがほぼ1桁増強されることを示した。この増強は,Coがナノワイヤ表面に位置するときのみ,磁化方向を持つCoの軌道モーメントの顕著な変化が観察されるので,局所結合特性に基づいて解明される。これらの知見の相補的分析は,単一非磁性半導体ナノワイヤ中の単一ドーパントの磁気異方性が,磁気結合がない場合のドーパントの局所化学環境を制御することによって,一方向に操作され,実質的に増強されることを示した。著者らの知見は,磁気異方性の方向性制御が磁性イオンドープ半導体ナノワイヤの適用のために達成されることを暗示する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気異方性 ,  *半導体 ,  不純物 ,  ドーピング ,  磁性 ,  *ドーパント ,  密度汎関数法 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 軌道磁気モーメント ,  局在化 ,  磁気結合 ,  異方性エネルギー ,  酸化亜鉛ナノワイヤ ,  *半導体ナノワイヤ ,  非磁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 磁気異方性 ,  ナノワイヤ ,  ドープした半導体 ,  密度汎関数計算

分類 (1件)： 金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体ナノワイヤ ,  ドーパント ,  容易 ,  磁気異方性